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长江存储科技有限责任公司2027届全球招聘博士后

  • 地址:湖北省 -- 武汉市
  • 职位:见正文
  • 学历:博士及以上
  • 时间:2026-10-19
  • 编辑:高层次人才网

一、招聘条件

01具有良好的政治素质和道德品质,有志于投身集成电路存储芯片产业;

02博士毕业3年以内,品学兼优、身体健康,能够全职从事博士后研究工作;

03专业背景、研究方向与工作站科研方向高度匹配;

04具有优秀的科研创新能力和前瞻性的国际化视野,创新思维活跃,勇于探索前沿技术领域,具备解决复杂科研创新问题的潜力;

05已发表过高水平学术论文,有主持/参与科研项目经验等。

二、研究方向

长江存储已经与北京大学、武汉大学、华中科技大学、东南大学、武汉理工大学、宁波东方理工大学等高校建立战略合作关系。长江存储博士后科研工作站采用校企双导师联合培养模式,拟围绕三维闪存、新型存储器、存算融合的先进存储技术、高性能存储器等核心方向,开展存储芯片架构及先进工艺开发、存储器件原理探究及优化、新型存储器件及相关技术研究、存储芯片电路及产品系统端设计、新型存储架构和算法协同创新等,构建面向新质生产力与算力革命所需的存储技术多维协同布局。

诚邀海内外优秀博士加入

研究方向

意向专业

前沿人工智能技术

计算机科学、人工智能、软件工程、数学等

自律型纳米蚀刻

等离子体科学与技术、半导体工艺集成、物理电子学、微电子学与固体电子学、控制科学与工程、电磁场与微波技术等

AI+DTCO(设计与工艺协同优化)

计算机科学、微电子、电子工程、人工智能、应用数学等

人工智能加速材料研发

物理、材料、化学、微电子等

三维堆叠器件源漏接触工艺

凝聚态物理、半导体物理、微电子或材料科学等

异构集成芯片系统热管理

微电子学与固体电子学、电子科学与技术、材料科学与工程、机械工程(微纳制造方向)或物理学等

先进存储芯片SPICE模型建立及仿真优化

微电子、集成电路、半导体物理等

先进芯片工艺ESD器件技术开发

微电子、集成电路工程、半导体物理等

先进存储芯片老化模型及DFR开发

微电子、半导体物理、可靠性工程等

高性能闪存芯片体系结构研究

计算机、微电子、电子信息、半导体物理等

存算融合的先进存储技术研究

微电子、计算机、电子信息、半导体物理等

智能检测与良率管理

集成电路、计算机视觉、机器学习、计算机科学、自动化、工业工程、人工智能等

【投递简历二维码】二维码(请点击链接查看详情)

三、应聘流程

应聘环节

第一批

第二批

简历投递与筛选

2026年11月30日前

2027年2月28日前

初步面试与集体面试

2026年12月31日前

2027年3月31日前

博士后进站申请材料准备

2027年1月31日前

2027年5月15日前

博士后网上办公系统审批

2027年2月28日前

2027年6月15日前

录用及进站报到

2027年3月初

2027年7月初

【温馨提示】在线填写简历时,除标*号必填项外,请务必填写以下信息:

论文/专著:须含近5年代表性成果(3项及以内);

证书:须含本科、硕士(如有)、博士各阶段毕业证书和学位证书,国(境)外学历学位认证书(留学人员上传);

项目经历:须填写科研项目经历。

1.招聘咨询

【联系人】张老师

【联系邮箱】rachel_zhang@ymtc.com,投递时请备注在高层次人才网看到的招聘信息

信息来源于网络,如有变更请以原发布者为准。

来源链接:

https://mp.weixin.qq.com/s/Hdue_Z_I-4waHShmt22Vfw

提示:以担保或任何理由索要财物,扣押证照,均涉嫌违法。一经发现,立即举报。
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