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III-V半导体的MBE生长及相关器件课题组招聘启事

高层次人才网编辑

2018-07-20

招聘岗位:

    III-V族化合物半导体物理、材料和器件研究人员 2

招聘岗位要求:

    1、理(工)学硕士学位及以上;

    2、具有III-V族化合物光电器件(如探测器、激光器等)研发背景,有意继续从事该方向的科学研究和产业化工作;

    3、具备科研项目文档编写和管理经验,有较强的英语阅读和写作能力;

    4、具有较强的团队合作意识、责任心和独立开展科研工作的能力。 

岗位待遇:

    基本工资与福利待遇参照中科院苏州纳米所和国家规定执行,并根据工作业绩,参照行内企业水平提供相应的绩效、奖金和其他应有激励。

招聘岗位: 

    博士后1 

岗位职责: 

  III-V族半导体光电器件及集成研究 

岗位要求: 

    1、理(工)学博士学位;

    2、具有III-V族半导体物理、微电子学、通信等光电子器件研究背景;

    3、有意从事科研工作,具有较强的团队合作精神,动手能力较强,有良好的英语阅读和写作能力; 

    4、具有探测器、激光器材料生长、表征或相关光电子器件集成工艺经验者将优先考虑; 

岗位待遇: 

    聘用人员工资待遇按中科院苏州纳米所相关规定执行。目前研究所博士后的基本工资为12500/月,外加课题绩效和年终奖。 

    博士后期间业绩突出者,出站后可优先被聘留所工作(可以获得苏州工业园区给予留园区工作的博士后最高30万元的安家费补贴)。 

应聘方式:

    请应聘者将简历(简历文件名按照“毕业院校-应聘岗位-姓名”命名)、简要介绍通过邮件发送至邮箱:sllu2008@sinano.ac.cn。我们将以邮件或电话的方式通知通过初选的应聘者参加面试。

 

提示:以担保或任何理由索要财物,扣押证照,均涉嫌违法。一经发现,立即举报。
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工作地址:招聘职位:学历要求:发布时间:2018-07-20 发稿编辑:高层次人才网