研究内容和方向

1.新型环栅GAA器件基础研究；

2.新型环栅GAA器件集成方案开发验证（包括关键工艺模块开发验证，单元电路版图依赖效应LDE研究等）；

3.新型环栅GAA器件建模研究；

4.基于新型环栅GAA器件的IC电路设计研究（包括逻辑、存储、射频等电路，以及标准单元库开发）；

5.基于新型环栅GAA器件设计与工艺协同优化DTCO技术研究。

招收条件

1.在国内外已获得电子/微电子等相关专业博士学位或即将获得博士学位的应届博士研究生，年龄在35岁以下，可全职进行博士后研究；

2.具有微电子、物理、材料等相关专业博士学位，专业基础知识扎实；

3.有优秀的科研英文写作能力，具有独立开展科研的能力、对学术有追求钻研精神、有团队合作精神；

4.博士或博士后期间的研究方向与先进三维集成器件如FinFET/GAAFET等、TCAD器件仿真、器件建模、电路设计仿真有关者优先考虑。

博士后待遇

1.博士后人员薪酬待遇年薪20万以上，另加绩效奖励。入选者在站期间若获得“国家博士后创新人才支持计划”或“上海市超级博士后激励计划”资助，在计划执行期间，仍按相应岗位年薪进行叠加资助；鼓励博士后申请国家自然科学基金等项目；

2.博士后公寓、户口和子女入学按照学校规定执行；

3.博后期间表现优秀者，可优先推荐应聘学校公开招聘岗位。

课题组简介

课题组依托复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，配置有完备的Synopsys3D器件工艺TCAD仿真模拟工具和DTCO技术工具链。课题组研究范围包括环栅GAA器件制备工艺开发、GAA器件建模和电路仿真等方向，未来将聚焦于新结构新机制三维器件研究以及相应工艺集成技术的开发。实验室提供良好的软硬件资源、与工业界接轨的工程理念和合作机会、以及开放包容的科研环境，构建团队成员职业发展的优秀平台。

应聘材料及方式

1.个人简历

2.博士研究生毕业证书和学位证书

3.学术研究代表作

4.其它需要说明的问题

5.聘用程序：（1）投递应聘材料（电子版），请以博士后申请-博士毕业院校-姓名-高层次人才网邮件标题，将电子版材料发送至xu_min@fudan.edu.cn，wuchunlei@fudan.edu.cn;（2）初审合格后电话通知面试;（3）面试未通过者，不再另行通知，应聘材料不予退还

提示：以担保或任何理由索要财物，扣押证照，均涉嫌违法。一经发现，立即举报。